已确认事实

IEEE Spectrum 的原文标注发表于 2022 年 2 月，报道 MIT 团队在超导量子电路中使用由数层六方氮化硼（hBN）构成的绝缘层，并在其两侧采用二硒化铌。报道援引研究人员称，这种电容器结构可显著缩小占地面积、降低相邻量子比特间的串扰，并使单个器件可容纳的超导量子比特数量提高约 100 倍。

为什么重要

超导量子计算的扩展同时受制于器件面积、材料损耗和比特间干扰。这项材料与器件层面的研究探索了在不牺牲电容器质量的条件下缩小量子电路组件的路径。

仍待确认

该报道称，后续规模化制造仍取决于 hBN 与二维超导体的晶圆级生长及薄膜堆叠能力。此次输入并非新的研究发布，而是 Hacker News 对旧文的提交；其传播背景和是否有后续技术进展未获本组材料证实。

来源依据